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鋰離子電池，由于其具有高能量密度和體積能量密度，循環(huán)壽命長，無記憶效應等優(yōu)點，越來越受到市場和消費者的青睞，這也推動了鋰離子電池的快速發(fā)展和針對其研究的不斷深入。XRM憑借著其能在無損情況下表征樣品真實三維結構的特點，在近些年逐漸成為鋰電池研究中的重要表征手段之一，且應用范圍也在不斷擴展。實例一軟包電池多尺度表征BrukerSkyscan2214樣品整體掃描，11um局部高分辨掃描，正極，1um局部高分辨掃描，隔膜，0.15um電池正極顆粒粒徑分布（左圖）及孔徑分布（右圖）實...

藥物大部分以晶體的形式存在，利用X射線衍射，我們可以獲得每種不同的晶型的藥物特征的衍射信息。如同指紋一樣，在數(shù)據(jù)庫中每種晶型都有特征的衍射圖譜。即使對于含有多成分的固體制劑而言，其中原料藥與輔料各自對應的粉末X射線衍射圖譜不會發(fā)生變化，可作為藥物晶型定性判斷的依據(jù)。因而對于未知的藥物樣品，通過PXRD，我們可以很快通過比對實測圖中的衍射峰的位置，強度，從已有數(shù)據(jù)庫中查到原料藥的晶體結構相匹配的衍射圖譜，從而準確鑒定該藥物的晶型。PXRD對于藥物晶型的定性研究主要分為兩個方面：...

局域結構是指構成材料的原子或離子在幾個晶胞尺度范圍內(nèi)（具體來說，使用X射線等探針對目標樣品進行散射實驗后，獲得的信號強度I隨Q的分布函數(shù)I（Q）（Q=4πsinθ/λ）中同時包含了相干散射、非相干散射以及背景信號，扣除背景后按照下式進行處理從而獲得全散射函數(shù)S(Q)：而后，對S(Q)-1以Q為權重處理后（即Q[S(Q)-1]，也被稱作F(Q)），再進行傅里葉變換，即可得到對分布函數(shù)G(r)：對于不同結構的材料，其原子對的分布規(guī)律也各不相同，圖1展示了立方堆積和六方堆積的G(r...

1925年PierreAuger在威爾遜云室中發(fā)現(xiàn)了俄歇電子，并進行了理論解釋，俄歇電子以他的名字命名。1953年，JamesJosephLander使用了電子束激發(fā)俄歇電子能譜，并探討了俄歇效應應用于表面分析的可能性。1967年LarryHarris提出了微分處理來增強AES譜圖信號。美國明尼蘇達大學的RolandWeber,PaulPalmberg和他們的導師BillPeria進行的研究揭示了俄歇電子能譜的表面靈敏特性，研制了早期商用俄歇表面分析儀器（如圖1所示），并基于...

晶圓片在線面掃檢測儀是一種用于半導體行業(yè)的高精度設備，通過實時檢測和分析晶圓片表面的缺陷和污染物，提高半導體生產(chǎn)質(zhì)量。作為半導體制造過程的重要環(huán)節(jié)，在線面掃檢測儀能夠提供高效、準確的檢測和分析，幫助半導體工廠及時發(fā)現(xiàn)和解決潛在問題，保證產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。該在線面掃檢測儀利用高分辨率的光學傳感器和圖像處理技術，能夠?qū)A片表面進行快速、全面的檢測。它能夠檢測并分類各種缺陷和污染物，如劃痕、斑點、氣泡、污染和裂紋等，提供精確的位置和尺寸信息。通過分析采集到的圖像和數(shù)據(jù)，在線面掃檢...

高分辨率X射線衍射(HRXRD)是一種強大的無損檢測方法，其研究對象主要是單晶材料、單晶外延薄膜材料以及各種低維半導體異質(zhì)結構。普遍用于單晶質(zhì)量、外延薄膜的厚度、組分、晶胞參數(shù)、缺陷、失配、弛豫、應力等結構參數(shù)的測試。現(xiàn)代HRXRD與常規(guī)XRD的區(qū)別主要體現(xiàn)在：（1）高度平行且高度單色的高質(zhì)量X射線；（2）不僅要測試倒易格點的位置（角度），還要測試倒易格點的形狀（缺陷）；（3）更高的理論要求-動力學理論。GaN做第三代半導體，目前用于電力電子、高頻器件和發(fā)光二極管(LED)技...

由于X射線可以對樣品進行無損的檢測，現(xiàn)代的X射線衍射儀可以對藥物樣品進行普遍的原位分析。比如不同溫度下，不同濕度，不同壓力下的晶型的變化。這些原位的研究方法不僅可以分析藥物晶型的穩(wěn)定性，還可以為發(fā)現(xiàn)新晶型提供新的研究思路和方法。圖1不同溫度下的晶型衍射圖譜變化（Storey,PfizerGlobalR&D(2003)隨著藥物晶型監(jiān)管力度逐步增加，單純的定性分析原料藥API或制劑中的晶型已不能滿足質(zhì)量研究的要求，對藥物制劑中的有效晶型的定量分析，是藥物生產(chǎn)中質(zhì)量控制過程中非常重...

目前的半導體產(chǎn)業(yè)正面臨CMOS微縮極限的挑戰(zhàn),業(yè)界需要通過半導體封裝技術的不斷創(chuàng)新和發(fā)展來彌補性能上的差距。不過，這同時也帶來了日益復雜的封裝架構和新的制造挑戰(zhàn),當然，同時更是增加了封裝故障的風險。而這些發(fā)生故障的位置往往隱藏于復雜的三維結構之中,傳統(tǒng)的故障位置確認方法似乎已經(jīng)難以滿足高效分析的需求了。因此，行業(yè)需要新的技術手段來有效地篩選和確定產(chǎn)生故障的根本原因。而可以無損表征樣品三維結構的XRM技術剛好迎合了半導體行業(yè)的這一需求，通過提供亞微米和納米級別的3D圖像，這一技...